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东芝完成128层TLC闪存开发:大容量SSD还会继续降价

2019-03-22 23:35:12 游民星空 万南 分享

3D NAND技术诞生之后,粒子制造商开始对堆叠层的数量大惊小怪。目前的尖端工艺是96层,但更令人尴尬。

据悉,东芝和合作伙伴Western Digital已经完成了128层3D NAND闪存芯片的开发,商业名称有望成为BiCS-5。

有趣的是,128层产品是TLC,而不是QLC,因为后者的容量仍然非常低。

BiCS-5的理论容量密度增加约33%,晶圆容量为512Gb(64GB)。计划于2020年至2021年间上市。

在性能方面,BiCS-5芯片采用单芯片四矩阵技术,与两个矩阵相比,写入速度提高了一倍,达到132MB/s。怎么理解这个速度?这是SLC缓冲区饱和后SSD的实际写入速度。

TI已根据85%的产量预测了四大颗粒工厂(SK海力士,英特尔,西部数据/东芝,三星)的技术能力。顶部300mm晶圆(12英寸)可以减少48.3TB的容量。 512Gb 128层TLC,如果是QLC,输出将更加令人印象深刻。

毫无疑问,128层TLC将在商用化后进一步影响机械硬盘,同时压低大容量SSD的价格。

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